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CISSOID推出60A /1200V高溫電源模組PLUTO

2015-06-03 11:12:10

CISSOID 公司宣佈推出高溫電源模組CHT-PLUTO,它可在-55225℃的範圍內實現可靠的運行,並輸出高達60A的電流。CHT-PLUTO 是一種雙碳化矽 MOSFET 模組,主要應用於在低端和高端均可持續供應 30 A 電流的半橋。低端和高端的兩個獨立開關可並聯使用,輸出總電流為 60 A,擊穿電壓超過 1200 V,當 VGS=20 V 時,導通電阻在 25℃和 225℃的溫度下分別低至 23 m 和 50 m

由於碳化矽電晶體的開關損耗較低,故而可實現較高的工作頻率。CHT-PLUTO 還可嵌入正向電壓 Vf 較低的續流肖特基二極體,它可以在死區時間降低功耗。每個開關均可採用 -5/+20 V的標準柵電壓進行控制


CHT-PLUTO 採用密封的 引腳專用“H8MA”金屬封裝,其尺寸規格為 18mm x 29mm (不包括安裝耳)。器件與封裝外殼之間採用電氣隔離。該模組的特點是每個 30 A 通道的結面至外殼熱阻都低至 0.7℃/W。另外,兩個附加的源連接器則可輕鬆地將模組牢牢連接到柵極驅動器。

CHT-PLUTO 適合為功率m88bet、逆變器或電機驅動器等應用構建半橋。當將兩個開關並聯時,CHT-PLUTO 的輸出電流可達 60 A,同時熱阻 (Rth) 低至 0.35℃/W。還可將幾個模組並聯,以獲得更高的輸出電流。

CISSOID公司最近已發佈的高溫柵極驅動器 HADES®v2 是驅動 CHT-PLUTO 的理想器件。HADES®v2 的峰值電流和 dV/dT 耐用性均較高,因此可實現快速切換,降低模組功耗。借助這些優化功能,電源設計人員可以提高工作頻率,為無源元件(輸入/輸出濾波器、去耦電容器)選擇下限值,從而在這些高成本的元件上節約大量成本,並減小系統的體積和重量。CHT-PLUTO 與 HADES®v2 的結合打開了使用結構緊湊的、高度集成的功率m88bet/電機驅動器的大門,這些功率m88bet/電機驅動器的額定功率從幾千瓦到幾十千瓦不等,在高達 225℃的溫度下也可實現可靠運行。



CISSOID公司的首席技術官 Pierre Delatte 表示: “CHT-PLUTO 是我們為高溫/高壓電源開關推出的第二款產品。繼 2013 年推出 10A/1200V 單極開關 CHT-NEPTUNE 之後,CHT-PLUTO 又為我們帶來了額定電流更高且同樣支持極端環境(-55℃225℃)的半橋模組。經過大量的研發努力,現在,我們可以自豪地推出這款能夠戰勝高溫挑戰,實現可靠運行的 CHT-PLUTO 產品。CHT-PLUTO 真正滿足了系統設計師對 CISSOID 產品的期望:讓 CISSOID 做到言行如一。該模組在不降低原有解決方案耐用性的條件下,為高溫大功率應用帶來了新的可能。




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